发布日期：2024-07-21 21:48 点击次数：87
开端：芯智讯97色姐姐
7月19日音尘，在好意思国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 FMS 2024（内存和存储的异日）会议上，NEO Semiconductor 首席扩充官 Andy Hsu 晓谕，将推出 一款改动游戏章程的 3D DRAM——3D X-AI，具有 AI 处置功能，将数据存储和数据处置蛊惑在单个芯片中，将神经网罗（ANN）性能提高 100 倍，功耗裁汰 99%。
Andy Hsu默示，基于NEO 的3D X-DRAM工夫，3D X-AI模拟东说念主工神经网罗，包括用于权重数据存储的突触和用于数据处置的神经元，使其十分稳当加快下一代AI芯片和愚弄。3D X-AI 可替代高带宽内存 （HBM），噜噜有望显贵鼓舞 AI 芯片想象和 AI 使命负载优化。
据先容，单个 3D X-AI 芯片包括 300 层 3D DRAM，容量为 128 Gb，以及 1 层神经网罗电路，具有 8，000 个神经元，每个芯片缓助高达 10 TB/s的 AI 处置抽象量。使用 12 个堆叠 HBM 封装的 3D X-AI 芯片，只需一个 3D X-AI 芯片，即可将 3D X-AI 芯片的容量和性能进步 12 倍，达到 1，536 Gb （192 GB） 容量和 120 TB/s 的处置抽象量。
“典型的东说念主工智能芯片使用基于处置器的神经网罗。这波及蛊惑高带宽内存来模拟用于存储权重数据的突触和图形处置单位 （GPU） 来模拟用于扩凑数学缠绵的神经元。性能受到HBM和GPU之间数据传输的肆意，往还数据传输会裁汰AI芯片性能并加多功耗，“NEO独创东说念主兼首席扩充官Andy Hsu说：“具有 3D X-AI 的 AI 芯片使用基于内存的神经网罗。这些芯片具有神经网罗功能，每个 3D X-AI 芯片中王人有突触和神经元。在扩充 AI 操作时，它们用于大幅减少 GPU 和 HBM 之间数据传输数据的吃力使命负载。咱们的 3D DRAM极地面提高了 AI 芯片的性能和可捏续性。”
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